硅衬底LED技术打破日美垄断江西重奖南昌大学江风益团队1000万

本文摘要：2月22日，笔者从2017年江西省教育工作会议上得知，为表扬南昌大学江风益教授研究团队作出的杰出贡献，该省要求对江风益教授研究团队尤其奖励1000万元，用作团队的人才培养、学科建设、科技创新、对外交流合作及条件建设。据介绍，南昌大学江风益教授研究团队“十九年磨一剑”，经过3000多次实验，在国际上首度研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并首度构建了产业化，超越了日美等国在该领域的技术独占。

2月22日，笔者从2017年江西省教育工作会议上得知，为表扬南昌大学江风益教授研究团队作出的杰出贡献，该省要求对江风益教授研究团队尤其奖励1000万元，用作团队的人才培养、学科建设、科技创新、对外交流合作及条件建设。据介绍，南昌大学江风益教授研究团队“十九年磨一剑”，经过3000多次实验，在国际上首度研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并首度构建了产业化，超越了日美等国在该领域的技术独占。江风益教授研究团队的“硅衬底高效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明者一等奖，构建了江西省在该项奖励“零”的突破。

据理解，此项重奖系由江西省委教育工委、省教育厅与省财政厅牵头向省政府催促表示同意。目的“维持LED研究领先优势，推展‘南昌光谷’建设和我省LED产业发展，更进一步唤起全省高校科技人员创意活力。”归功于“硅衬底低光效GaN基蓝色发光二极管”项目的顺利，江西省已描绘出LED产业发展“路线图”：到2020年，全省LED产业主营收益要多达1000亿元，把江西建设沦为具备国际核心竞争力的LED全产业链研发、生产和应用于基地，将南昌打导致全国的LED“光谷”。

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